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2006年6月 |
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• HCl气体加速SiC的生长
• 飞思卡尔将MOSFET晶体管提到议程上
• Anadigics身怀BiFET绝技
• SiC模组提高栅格效率
• 氮化物晶体生长取得新进展
• 互补生长技术有利于提高LED性能
• 分析工具有助于暴露隐藏缺陷
• 硅基CMOS技术之后，我们能期待什么？
• 晶粒制造商和照明专家开辟新的应用领域
• 非标准MMIC在雷达、阵列天线和示波镜应用中找到出路
• AXT公司狗年转运
• 创新根基于巩固
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* 终稿可能有变，本刊将保留最终解释权.......
| 截稿: | 订稿 - Jun 8, 2006, 广告材料 - Jun 16, 2006 |
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