《化合物半导体与光电技术》

2009年5/6月刊


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2009年5/6月刊

2009年5/6月刊

[技术 Technologies] [市场 Market] [产业 Industry] [产品 Product showcase] [编者话 Editorial] [广告索引 Ad Index] [科技之光 Reseach Review]

技术 Technologies

功率放大器制造商寻求模块标准
在制造高质量产品的时候，JEDEC标准为大规模电子制造商提供了保证，但它对射频芯片却不太适合。文章试图了解GaAs业者该如何解决质检的问题。

英国解密硅上GaN LED
硅上GaN LED不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这些芯片安装到器件中，使得内量子效率接近40%...

LED准备进军太空
光子准晶体和防止效率下降层有助于获得高效的LED，且光发射方向性好，可用于飞行器导航、滑行和降落灯，以及驾驶员座舱背光显示照明。在英国“Novelels”项目支持下，此项研究取得了进展...

反射层提高LED亮度
一个来自新加坡和德国的研究团队表示，在硅上氮化物LED结构中加入一层SiO₂，可以减少衬底对光的吸收，从而增加LED的亮度。

砷化镓二极管企业竞争加剧
当3S Photonics试图与Bookham和JDSU抢夺980nm泵浦激光器的市场份额时，三家竞争者是如何在陆基和水下光通信器件领域展开竞争的。

非极性面提高阈值电压

II-VI族材料制备光泵浦的绿色激光器

光电流使下降之争更趋明朗化

ZnO向发光效率宣战

RFMD开发新的BiFET技术
手持设备制造商在一个竞争非常激烈的环境里求生存，想要成功就必须不断推陈出新。于是，市面上涌现了更多功能、外形设计更时尚的电子消费品。在这个领域里创新是最重要的，获得体积更小的器件也不容小觑...

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市场 Market

什么是GaN的最佳衬底？
一般来说，在100mm的SiC上生长GaN是GaN射频产品唯一的商业化方案，然而IQE继续在寻求硅上GaN的出路...

LED专利战归于平静
今年一批数量惊人的公司已平息了有关专利技术的纷争，科锐、日亚和首尔半导体位列其中。这对LED制造业意味着什么？请看市场分析师Jed Dorsheimer的高论...

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产业 Industry

Aixtron关注LED TV市场的崛起

海峡两岸就LED产品标准展开合作

牛津仪器和TDI共同开发半极性GaN材料

Cree推出LED产品参数工具

Lumileds宣布LED亮度倍增

硅上GaN开始对MMIC器件产生影响

传输系统为沉积设备带来革新

Osram看好绿色激光源投影机

霍尼韦尔推出有毒气体监测器Vertex M

Toyoda Gosei制备3英寸非极性GaN

Rubicon生长大块蓝宝石晶体

sp3用于高功率高频装置的钻石硅晶体晶片

亿光供应多彩LED替代霓虹灯

OLED制造无需光刻和ITO技术

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编者话 Editorial

硅上氮化镓仍处于实验开发阶段
这2~3年来，对硅上氮化镓（GaN-on-Silicon）的研究工作一直在进行。人们看好它的低成本，但又不得不为材料固有的缺陷而绞尽脑汁。自从去年年初日本Shimei Semiconductor公司宣布使用硅上氮化镓外延片成功制备...

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科技之光 Reseach Review

非极性面提高阈值电压
来自美国UCSB的研究人员已经制备出首个m面增强模式AlGaN/GaN FET。这些常闭FET器件的阈值电压是2V，对于阈值电压必须在3V以上...

HfO2电介质层提高器件输出功率
来自RPI的领衔作者Alexei Koudymov宣布，这些器件能用于雷达、通信、卫星通信系统以及新型SDR（软件无线电）。“当频率在2GHz以上时...

含氮自由基修复InN外延层
InN是氮化物材料体系中禁带宽度最窄、电子迁移率最高的一种，由于该种材料的质量较次，阻碍了它成为红外光发射器和高速电子器件的关键组成部分...

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